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LT2492降压IC MT2492 SY8120 JW5033 SD8942

LT2492是一种具有内部电源的高频、同步、整流、降压、开关模式转换器,它提供了一个非常紧凑的解决方案,以在宽输入电源上实现2A连续输出电流。范围,具有良好的负载和线路调节。
工具/原料
1

4V至18V宽电压输入范围

2

2A输出电流

3

无需肖特基二极管

4

600 KHz频率

5

内置超过电流限制

6

内置过电压保护

7

内部软启动

8

输出可调0.6V

9

综合内部补偿

10

半自动短时保护

11

热保护

12

-40°C至85°C温度范围

方法/步骤
1

产品应用数字机顶盒(机顶盒)平板电脑(PAD)平板电视及显示器数字录像机便携式媒体播放器(PMP)

2

内部调节器 LT2492是一个电流模式下的DC/DC转换器,提供良好的瞬态响应,没有额外的外部补偿组件。这个装置有一个内部的,低的,高的。 H电压功率MOSFET,工作在高600K的工作频率,以确保紧凑,高效率的设计,优良的交流和直流性能。

3

误差信号放大器误差放大器将FB引脚电压与内部FB基准(VFB)进行比较,并输出与两者之差成正比的电流。然后用这个输出电流给o充电。 R放电内部补偿网络形成COMP电压,用于控制功率MOSFET电流。优化的内部补偿网络使外部组件最小化。 计算并简化了控制回路的设计。

4

内部软启动软启动是为了防止在启动过程中变换器输出电压过大.当芯片启动时,内部电路产生一个软启动电压(Sss)向上倾斜。 M0V~0.8V。当它低于内部基准(REF)时,SS覆盖Ref,因此误差放大器使用SS作为基准。当SS高于参考值时,Ref恢复控制。党卫军的时间 固定在1.5ms。

5

过流保护当电感电流峰值超过设定的限流阈值时,LT2492具有一个又一个过电流限。同时,输出电压开始下降,直到fb低于Voli。 TAGE(UV)阈值,通常低于参考值25%。一旦UV被触发,LT2492就进入HICCUP模式,定期重新启动该部件。这种保护模式在OUPU时特别有用。 它离地面很短。平均短路电流大大降低,以减轻热问题和保护调节器。LT2492一旦超过当前的cond,就退出HICCUP模式。 点火被移除。

6

启动和关闭如果VIN和EN都高于它们相应的阈值,芯片就会启动。参考块首先启动,产生稳定的参考电压和电流,然后是内部调节器I。 S已启用。该调节器为剩余电路提供稳定的电源。三个事件可以关闭芯片:EN低,VIN低和热关机。在关闭过程中,信令路径 首先被阻塞以避免任何故障触发。然后,Comp电压和内部供应轨被拉下。浮动驱动程序不受此关机命令的约束。

7

设置输出电压LT2492需要输入电容、输出电容和电感。这些组件对设备的性能至关重要。LT 2492是内部补偿的,不需要外部c。 各部件实现稳定运行。输出电压可由电阻分压器编程。

8

电感推荐推荐的电感值显示在“应用程序图”中。在任何可预见的运行情况下,保证电感磁芯不饱和是很重要的。感应器 额定处理峰值负载电流加上纹波电流:在检查不同制造商指定的不同饱和电流额定值时应注意。萨塔蒂 对于当前的额定值,通常在25°C指定,因此应用程序的最高环境温度下的额定值应请求制造商提供。

9

其中ΔIL是电感纹波电流。如果最大负载电流为2A,则选择电感纹波电流约为30%。最大电感峰值电流为:在100 mA以下的轻载条件下,建议使用较大的电感来提高效率。

10

输出电容的选择在选择这些部件时应特别注意。这些电容器的直流偏置可能导致电容值低于建议电容器中的最小值。 或者规格表。陶瓷电容器的实际电容随温度的变化而变化。在−55°C到125°C的温度范围内工作的X7R型电容器只会将电容变化到±15%以内。 。X5R型电容器在降低−55°C到85°C的温度范围内具有相似的公差,许多大于1 UF的大型陶瓷电容器都是用Z5U或Y5V温度c来制造的。 特征分析。当温度从25°C到85°C变化时,它们的电容可下降50%以上,因此在环境温度为Z5U和Y5V的情况下,X5R或X7R被推荐应用于Z5U和Y5V。 Ure将在25°C以上或以下发生显著变化。钽电容器不如陶瓷作为输出电容器,因为当比较0.47uF到44 uF范围内的等效电容和电压额定值时,钽电容器的成本更高。 另一个重要的考虑因素是钽电容器比等效尺寸陶瓷具有更高的ESR值。这意味着,虽然有可能找到带有ESR Val的钽电容器 在稳定的范围内,它必须是比具有相同ESR值的陶瓷电容器更大的电容(这意味着更大、更昂贵)。还应注意的是,一个典型钽的ESR将增加约2:1,因为 温度从25°C下降到−40°C,因此必须允许一些保护带。

11

PC板布局考虑PCB布局是实现稳定运行的关键。强烈建议复制EVB布局以获得最佳性能。如果有必要改变,请遵循这些指南,如图所示 4供参考。

注意事项
1

保持开关电流的路径短,并尽量减少输入电容、高侧MOSFET和低侧MOSFET形成的回路面积。

2

建议将旁路陶瓷电容器放置在Vin销附近。

3

确保所有反馈连接都是短而直接的。将反馈电阻和补偿元件尽可能靠近芯片。

4

VOUT, 远离敏感的模拟区域,如FB。

5

将IN,SW,特别是GND分别连接到一个大的铜区域,以冷却芯片以提高热性能和长期可靠性。

6

图4显示了一个2层PCB布局的示例,以供参考.

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