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怎样用超声波清洗多晶硅

能源问题正日益成为世界性问题,我国在太阳能光伏产业的核心技术已领先于世界水平,而用于太阳能的主要材料——多晶硅,它的清洗洁净程度直接影响到太阳能电池的成品率和性能。用超声波清洗的目的主要是清除多晶硅表面的沾污,如微粒,有机物,无机金属离子、氧化层等杂质。多晶硅表面吸附杂质的主要原因是,多晶硅表面原子垂直向上的化学键被破坏成为悬空键,在多晶硅表面形成自由力场,极易吸附各种杂质。这些杂质和多晶硅之间迅速形成化学吸附,难以去除。在生产多晶硅的生产工艺过程中,其中的一个重要环节,是采用超声波清洗应用技术。
工具/原料
1

一台VGT15204FST多晶硅超声波清洗机

2

多晶硅片

3

清洗剂

方法/步骤
2

光刻后清洗:除去光刻胶。

3

氧化前自动清洗:氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。

4

抛光后自动清洗:除去切、磨、抛的沾污。

5

外延前清洗:除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。

6

合金前、表面钝化前清洗:除去铝布线后,表面杂质及光胶残渣。

注意事项
1

放物品清洗的过程中要注意

2

清洗好物品之后,要确定电源是否已关闭。

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