一、slc、mlc、tlc三代闪存的详细介绍1、slc芯片详细介绍 “slc”英文全称“single-level cell”（即单层式储存），又名“1bit/cell”，主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。slc技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于“silicon efficiency”的问题，必须要由较先进的流程强化技术，才能向上提升slc制程技术。 slc特性：运转和反应速度快，使用寿命长，价格也很贵，大概是“mlc”价格的三倍以上，大约十万次写入（擦写）寿命。
2、mlc芯片详细介绍“mlc”英文全称“multi-level cell”（即多层式储存），又名“2bit/cell”，主要由东芝、renesas、三星使用。英特尔在1997年9月最先开发出mlc，它作用是将两个单位的信息存入一个floating gate，然后利用不同电位的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。mlc通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。slc架构是0和1两个值，而mlc架构可以一次储存4个以上的值，因此，mlc架构可以有比较好的储存密度。 mlc特性：运转和反应速度一般、使用寿命一般，购买价格也一般，大约3000到10000次的写入（擦写）寿命。
3、tlc芯片详细介绍“tlc”英文全称“triple-level cell”，又名“3bit/cell”，也有flash厂商称它为“8lc”，tlc芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的nand flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microsd或随身碟等。 tlc特性：它的运转和反应速度最慢，使用的寿命也最短，而且价格也最便宜，大约500次的写入（擦写）寿命，到目前位置，还没有哪个厂家能够做到1000次写入（擦写）的。
二、slc、mlc和tlc三代闪存芯片寿命差异比较：1、slc闪存利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。2、mlc闪存利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，slc-mlc（容量大了一倍，寿命缩短为1/10）。3、tlc闪存利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，mlc-tlc（容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20）。
三、鉴于目前u盘市场主要以slc芯片和mlc芯片储存为主，我们就多了解下slc和mlc储存。1、slc和mlc的优势比较slc的架构是0和1两个值，而mlc架构可以一次存储4个值以上，所以mlc架构的储存密度较高，而且还可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与品质优势。mlc和slc相比较，mlc生产成本要低，且容量大。要是经过改进的话，mlc的读写性能还会进一步地提升！2、slc和mlc的缺点比较mlc架构有不少缺点，首当其冲的是使用寿命比slc要短，mlc架构只能够承受1万次的擦写，而slc架构却可以承受10万次的擦写。其次就是存取速度慢，在当前的技术条件下，mlc芯片理论上存取速度只能达到6mb左右，而slc架构的存取速度要比mlc架构的存取速度快三倍以上。还有就是mlc的电流消耗比slc高，如果在同等使用条件下mlc跟slc相比的话，mlc的电流消耗要比slc的电流消耗多出百分之十五左右。虽然mlc跟slc相比，mlc缺点要多，但在单颗芯片容量方面，当前mlc还是占据绝对优势的。因为mlc架构和成本都占有绝对优势，能够满足2gb、4gb、8gb甚至更大容量的市场需求。