金属氧化物半导体的衬底效应

一般而言，源极电压与衬底电压两者接在一起VSB＝0，但在实际上VSB＞0(对P型衬底而言)，此时衬底与源极产生逆偏，使得耗尽区电荷增加，因此使临界电压增加的现象称为衬底效应(Body Effect)。衬底效应通常是负面的，临界电压之变化常会使模拟电路或数字电路设计更加复杂。MOS受到衬底效应影响，临界电压会有所改变，公式如下：,是基极与源极之间无电位差时的临界电压，是衬底效应参数，则是与半导体能阶相关的参数（禁带中线与费米能级的差值）。