晶圆切割保护膜在半导体制作中到什么保护作用

圆晶是制作硅半导体所用的硅片，形状似圆形，故称晶圆。将硅单晶棒制备成硅晶圆片的工艺即为晶圆成型。晶圆切割保护膜就是在半导体制作过程中起到保护作用。SOI技术是降低晶体管漏电流的有效措施，而应变硅技术是提高晶体管速度的有效途径.目前制造SOI晶圆的方法主要有两种:一是注氧隔离法，另一种是智能剥离法，注氧隔离法是采用大束流专用氧离子注人机把氧离子注人到硅晶圆中，然后在惰性气体中进行不小于1300℃高温退火，从而在硅晶圆顶部形成厚度均匀的极薄表面硅层和Sio2埋层。其优点是硅薄层和Sio2埋层的厚度可精确控制，缺点在于由于氧注人会引起对硅晶格的破坏，导致硅薄层缺陷密度增高。晶圆切割保护膜就是在这两种方法进行当中保护物品，　　智能剥离法是利用中等剂量氢离子注人，在一个硅晶圆中形成气流层，于低温情况下和另一个硅晶圆键合，然后进行热处理使注氢的硅晶圆片从气流层剥离出来，址后对硅表面层进行化学机械抛光，使其表面光滑。采用晶圆切割保护膜进行保护其优点是硅薄层缺陷密度低，硅薄层和Sio2埋层厚度。