reinbeau问我总结集成电路泄漏的一种方式，可以黏黏的情况，所以在这里： 不闪光或擦拭使用ICS改装 “安全”的内核是下面这篇目前有两个已知的安全芯片内核的列表，但只有两个。 这些内核基本上是危险的。三星推出的一些错误在eMMC驱动，可以永久损坏手机的eMMC闪存。这会导致无法使用的分区，在最好的，在最坏的hardbricked装置。失败的本质是如此严重，hardbrick恢复通常的方法（JTAG）是无法恢复这种方式损坏设备。 已确认的影响内核： 所有的ICS泄漏为三星史诗的4G触摸（sph-d710） 所有的ICS泄漏的三星Galaxy Note（gt-n7000） xxlpy官方ICS释放gt-n7000-至少有一个hardbrick（chasmodo），2人有损坏的分区（无法使用/数据或系统），至少有1人用不上/数据*厂*恢复-擦拭后不只是水煤浆，和一个人hardbricked擦拭后的设置 zslpf官方ICS释放gt-n7000 - HTTP：/ /论坛。xda-developers。COM/展示…PHP？T =1661590和HTTP：/ /论坛。xda-developers。COM /显示……1 # post26275391是第一个报告。 ucld3 IC漏为AT&T三星Galaxy S II（sgh-i777）-其他泄漏也可能会受到影响 利用最新的shw-m250s / K / L的官方源代码发布截至2012年5月3日-这包括siyahkernel3.1rc6为gt-i9100建仁（所有其他siyah释放是安全的） 损害是无法保证它可能只影响一小部分用户，但即使有5%的几率比hardbricking由于在安全内核的内核漏洞，有效0%的几率要危险得多。 此外，一些人还没有完全hardbrick/数据/系统将成为unwritable，导致手机进入下载模式，可以闪光的内核，可以写在恢复一些分区，但总体是由于一个或多个临界分区无法使用。 已确认的安全内核： 所有已知的姜饼内核的Galaxy Note和其他受影响的设备上面列出的 建立从gt-i9100 update4源代码发布-这包括xplodwild的CM9释放和我dafuq释放内核，希望更多的内核的选择将变得很快 有mmc_cap_erase残疾人在mshci内核。C应该是安全的，在核-上市的特点，初步的结果是好的看它，没有砖已报告的人确认为实际运行这样的内核。 如果您运行的是一个受影响的核： 立即停止使用。闪光安全内核使用奥丁/海姆达尔。 不抹在恢复 不闪光的东西恢复 在一般情况下，不使用回收 现在，我们所知道的： 有些人可以与受影响的内核，因为他们经常想没有问题，擦。只是因为你没有砖，不向其他用户，他们会好起来的。 基于从史诗的4G触摸社区报告，一些人可以擦/ Flash 20-30次hardbricking -只是因为你没有砖一次，不要继续影响内核闪烁 问题的根源是在update4 I9100和shw-m250s update5 - HTTPS之间的变化：/ / GitHub。COM /entropy512 /内核250s_dangerous…… 我们所不知道的： 到底哪个源提交上述负责 如何确定未来的内核或释放源是安全的没有把用户设备的风险-你只需要复制问题一旦被冲洗。 *需要*更新那么多的信号 我的github简介-一些Android的东西，一些AVR的东西 一个优秀的帖子“菜鸟与开发商“ 在内核开发的“良好做法的几点看法” 注：我选择不使用XDA的“朋友”的特征-我会拒绝所有传入的“朋友”的要求。
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