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超简单实用的电机正反转及调速驱动电路

≥≥今天给大家分享一个非常简单实用的电机驱动电路,仅仅需要几个器件就能实现,无需外加驱动芯片,是产品降本以及电子DIY制作的一种较好的方案选择。工作原理描述:本文中的驱动方案是双继电器+NMOS的驱动方式,选取的继电器是一款SPDT(单刀双掷)继电器。1、当DO1为低电平(0V)、DO2为高电平时(5V)、同时PWM1端输入10V左右的直流电压时(MOS管导通),继电器K1动作(接点A2与A1接通)。K2不动作(接点B2仍与B3接通),回路中的电流从A1-A2-负载电机端-B2-B3-MOS管的D-S直到GND,电机正转。2、反之,当DO1为高电平(5V)、DO2为低电平时(0V)、同时PWM1端输入10V左右的直流电压时(MOS管导通),继电器K1不动作(接点A2与A3接通)。K2动作(接点B2与B1接通),回路中的电流从B1-B2-负载电机端-A2-A3-MOS管的D-S直到GND,电机反转。3、当DO1、DO2同为低电平(0V),且PWM1端输入低电平0V时(MOS管关断),电机停转,且电机通过B2-B3-A3-A2的电流回路释放电机停转瞬间产生的感应电流(电机为感性负载)。4、当PWM1端输入的不是一个直流电压,而是幅值10V且占空比为0-100%的PWM脉冲时,可用于电机的调速控制。注:1、图中的D1、D2二极管作为继电器的线圈关断时,使感应电流形成泄放回路的保护器件;2、MOS管G极的10R电阻用于调节MOS管的开通速度,电阻越大开通速度越慢,越小开通速度越快,MOS管GS端的10K电阻用于保证MOS在G级未给驱动的状态下,处于有效截止状态下,防止MOS管误触发(MOS管的内部结构如下图所示)。器件选型:1、继电器与MOS的选型需要参考电机的额定功率/容量,继电器的接点电压需要≥电机额定电压的1.2倍,接点电流需要≥电机额定电流的3倍;另MOS管的VDS至少需要≥电机额定电压的2倍,ID至少需要≥电机额定电电流的4-5倍(电机突然启动时,瞬间电流是约为额定电流的3倍左右),在此基础上,选择RDS越小的MOS管,发烫量会越低,但同时会增加成本,需要综合考量。
工具/原料
1

一台电脑、multisim软件

2

2个单刀双掷继电器、1个NMOS管、2个二极管、2只电阻

方法/步骤

在Multisim软件中按照电路图将上述元器件进行连接,用万用表替代回路中的电机,通过观察万用表中电压值的正负来判断电机的正反转。

注意事项

MOS管的驱动电压需要根据DATASHEET中给出的范围来具体选择,上文中驱动电压给定10V,电压过高会将MOS管的GS级击穿,过低的话会导致MOS管无法正常开启,导致MOS管发烫严重。

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