看MOSFET器件，主要看器件的以下几个参数：VGS、RDS（ON）、BVDSS、Qg、IDSS、Ciss、COSS
方法/步骤
1
1. VGS（th）：又称为阀值电压，是指加在栅源电压能使漏极开 始有电流或者关断MOSFET时停止流过电流时的电压，栅源电压超过此值时，漏极电流由小到大显著增加
2
2. RDS（ON）：是指MOS在完全导通状态时，漏源间的总电阻。 他是影响最大额定电流和功耗的主要参数。这个也是MOS 选型时的一个主要参数，也是客户喜欢拿来和其他品牌比较 的参数
3
3. BVDSS：是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流 达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪 崩击穿电压。当漏-源电压VDS超过BVDSS时，漏源极之间 雪崩效应电流急增。 BVDSS为正温度系数，结温每升高 10°C ， BVDSS约增大10%
5
5. IDSS：零栅压漏极电流，是指栅源电压为零时，在特定的漏 源电压下漏源之间泄露电流，泄露电流随着温度的增加而增 大，IDSS在室温和高温下都有规定。漏电流造成的功耗可 IDSS以用 IDSS乘以漏源之间的电压计算，通常这部分功耗可以 忽略不计。
6
6. Ciss:是指MOS输入端的输入电容，该参数会影响开关特性
7
7. COSS：是指MOS输出端的输出电容，该参数会影响开关特性