双向可控硅模块使用规则

1、为了导通闸流，必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL ，这条件必须满足，并按可能遇到的低温度考虑。       2、要断开闸流，负载电流必须

3、设计模块触发电路时，只要有可能，就要避开3 象限（WT2-，+）。       4、为减少杂波吸收，门极连线长度降至很低，返回线直接连至 MT1（或阴极），若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线，门极和 MT1 间加电阻 1kΩ或更小，高频旁路电容和门极间串接电阻；另一解决办法，选用H系列低灵敏度双向模块。

5、若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路，若高dICOM/dt可能引起问题，加入一几 mH的电感和负载串联；另一种解决办法，采用Hi-Com双向可控硅。        6、假如 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：负载上串联电感量为几μH的不饱和电感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。

7、选用好的门极触发电路，避开 3 象限工况，可以大限度提高双向的dIT/dt承受能力。         8、若双向的 dIT/dt 有可能被超出，负载上串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻；另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。

9、器件固定到散热时，避免让双向受到应力，固定，然后焊接引线，不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。       10、为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a足够低，维持 Tj不高于 Tjmax ，其值相应于可能的高环境温度。