刻蚀液的制备方法、应用与流程

氮化硅在芯片制程工业中被广泛用作绝缘层或顶部屏障层以防止污染物扩散在芯片中，同时安集为了减缓氮化硅层与底部硅基体间热膨胀倍率不匹配的问题，常在硅基体上生长上一层薄的二氧化硅层，然后在其上生长氮化硅层形成层叠体，在层叠体中以一层或多层薄膜进行交替叠加。另外，二氧化硅膜和氮化硅膜都可以用于形成类似金属布线导电图案的硬掩模。在储存芯片市场，要求存储器要尽可能实现存储容量最大化以及存储体积最小化，因而存储密度不断提高，芯片的制造工艺也越来越复杂，相应地，存储芯片中二氧化硅和氮化硅的叠层结构就越多，这对氮化硅膜和二氧化硅膜的刻蚀速率之比(选择比)也提出了更高的要求。传统技术中，可以使用氢氟酸和缓冲氧化物刻蚀剂对氮化硅膜进行刻蚀，但刻蚀速率即使在高温下也很缓慢，且经常受到极端刻蚀条件的不利影响。此外，传统技术中通常采用单一的磷酸水溶液刻蚀氮化硅膜和二氧化硅膜，但是采用单一的磷酸水溶液刻蚀时，对氮化硅膜和二氧化硅膜的刻蚀速率之比(选择比)只有约40，选择比低，且还存在如刻蚀时产生的颗粒和沉淀多，导致选择比下降明显等缺陷，不能满足目前高端dram、nand flash储存器的生产要求。基于此，安集科技有必要提供一种在二氧化硅膜和氮化硅膜的层叠结构中能够提高对氮化硅膜的去除选择性的刻蚀液及其制备方法、应用。刻蚀液能够高选择性地去除氮化硅膜，对氮化硅膜的刻蚀速率高，且在针对存储芯片中由氮化硅膜和二氧化硅膜组成的层叠结构中，能够抑制对二氧化硅膜的刻蚀，刻蚀液的寿命长且能适应存储器层叠结构层数快速增加的制造工艺。与传统的采用单一组分的磷酸水溶液作为刻蚀液相比，上述的刻蚀液对氮化硅膜的刻蚀选择比更大，刻蚀选择性更强。上述刻蚀液能够高选择性地去除氮化硅膜，对氮化硅膜的刻蚀速率高，且在针对存储芯片中由氮化硅膜和二氧化硅膜组成的层叠结构，能够抑制对二氧化硅膜的刻蚀，刻蚀液的寿命长且能适应存储器层叠结构层数快速增加的制造工艺。与传统的采用单一组分的磷酸水溶液作为刻蚀液相比，上述的刻蚀液对氮化硅膜的刻蚀选择比更大，刻蚀选择性更强。