近日，固态技术协会发布了Universal Flash Storage 通用闪存存储的 v3.0标准（JESD220D、JESD223D），和UFS存储卡v1.1标准（JESD220-2A）。简单来说，就是UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是UFS 2.1性能的2倍之多。
具体资料
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首先，我们先来了解一下什么是UFS。UFS是UNIX文件系统的简称，属于FFS的演化版本，UFS几乎是大部分UNIX类操作系统默认的基于磁盘的文件系统，包括Solaris、Free BSD、Open BSD、Net BSD、HP-UX等，甚至Apple的OS X也能支持UFS文件系统。就是人们所说的闪存，闪存是一种非易失性存储器，存放在ROM当中的数据可以被永久存储，并不会受到通断电的困扰，比如我们存储的音乐、视频等数据基本都存在闪存中，而内存则是在应用执行时，作为应用数据的临时存放处。所以UFS是新的快闪存储方案，很多人把闪存就是等于UFS其实是不对的，UFS只是闪存的一种方案而已。
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UFS的最大优势就是双通道双向读写，它的接口带宽最高达到23.2Gbps，也就是2.9GB/s，读取和存取数据都是极快的。UFS属于高性能接口，专门为需要最大限度降低功耗的应用而设计的，比如智能手机和平板电脑等移动系统的应用，其高速串行接口和优化的协议，可以明显提高吞吐量和系统性能。其它方面，UFS 3.0支持的分区也有一定的增多，纠错性能提升，电压2.5V，支持最新的NAND Flash闪存介质，工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容，这样存储速度就达到最高1.5GB/s。
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据消息称，三星已经宣布将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品，不过骁龙845、Exynos 9810等最新处理器是否支持UFS 3.0接口还没有任何消息。总体来说，UFS3.0的出现一定程度对存储业有一定的影响，比如智能手机的存储性能将会极其的好。