多语言展示
当前在线:1522今日阅读:142今日分享:25

英特尔(Intel)600P系列 M.2 2280接口深度测评

进入2016年最后一个季度,也是国内外各大固态硬盘厂商发布新品最为密集的时候了。尤其是NVMe协议在全行业的普及,技术层面的创新力度不断加大,使得今年的新品都颇具实力。
工具/原料

英特尔(Intel)600P系列 M.2 2280接口固态硬盘

外观综述:单面PCB设计
1

说起Intel,可谓是如雷贯耳,作为半导体市场的绝对领军人物,Intel在固态硬盘行业的技术实力、资源布局、市场占有等诸多方面都位列行业领先水平。

2

Intel 600P正面图

3

作为2016年新品,M.2接口的设计我们并不陌生,在DIY硬件小巧化精致化的时代背景下,能够直插PCIe的M.2接口是未来发展的趋势。

4

同时,为了进一步缩小体积,此块600P采用了多见的单面PCB板设计,仅在PCB正面,布局了闪存颗粒、主控芯片以及缓存芯片等关键元器件。

慧荣2260主控、Intel 16nm颗粒
1

在用料上,此款600P延续Intel“5”系列的传统,依旧采用第三方合作主控厂商慧荣定制版的2260主控芯片,以及自家生产的16nm 3D TLC闪存颗粒。

2

具体来看,主控上采用台系厂商慧荣科技,基于NVMe协议定制的2260主控,此款2260主控采用40nm工艺制程,最高支持8通道32PE闪存传输,支持NVMe1.2协议,并且自带LDPC ECC智能纠错机制,PCIe Gen3x4接口,支持ONFI 4.0和Toggle 2.0,同时还支持3D MLC/TLC颗粒。在绝对性能上,官方标称最高连续读取速度能达到2400MB/S,最高连续写入速度则能够超过1000MB/S。

3

在颗粒上,采用了编号为29F01T2ANCMG2的闪存颗粒,根据编号分析,我们可以知道这是Intel自家的16nm 3D TLC闪存颗粒。

4

在缓存颗粒上,采用南亚科技编号为NT5CC256M16DP-D1缓存芯片,容量为512MB,速度为DDR3-L 1600 CL11的缓存芯片。

性能测试:最高连续读写速度
1

在CrystalDiskMark测试最高读取速度性能中,此款Intel 600P取得了1835MB/S最高连续读取速度和451MB/S最高连续写入速度的成绩。

2

在TxBENCH测试最高连续读写性能中,此款Intel 600P取得了最高读取速度1821MB/S和最高写入速度568MB/S的成绩。

性能测试:随机读写性能测试
1

在AS SSD测试中,此款600P取得了4K随机读取127923iops、4K随机写入101269iops的成绩。

2

在anvil storage utilities测试,16队列的4K随机读写性能测试中,此款Intel 600P则取得了4K随机写入132796iops以及4K随机读取79996iops的成绩。

3

在最后的综合性能上,Intel 600P取得了总分4998分,带宽312.23MB/S的成绩。

总结

在开篇中,我已经提到此款Intel 600P实际上是主打亲民级市场,所有通过测试我们可以看到,不同于以往Intel产品测试时极为夸张的跑分,不论是连续读写还是随机读写,此款600P在成绩上几乎都没有太多亮眼之处。但是联想到512GB亲民的价格,以及Intel自家五年包退换的良心售后服务,对于性能没有太高追求,又想尝鲜NVMe协议的高速性能的朋友,此款600P绝对是一款好的选择。

推荐信息