微波暗室的电性能指标主要由静区的特征来表现的。静区的特性又以静区的大小、静区内的最大反射电平、场均匀性、路径损耗、工作频率范围以及固有雷达截面等指标来描述。 影响微波暗室性能指标的因素是有很多种的，且复杂。在利用能量物理法和光线发射法对暗室性能进行仿真计算时，需要考虑电波的极化去耦，传输去耦，标准天线的方向图等因素，吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影响。但在实际的工程设计过程中，往往以吸波材料的性能作为暗室性能的关键决定因素。
影响因素
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1.场均匀性：在静区的截面上，横向和上下移动待测天线，要求接收信号起伏不超过±0.25dB。在暗室静区，沿轴移动待测试天线，要求起伏不超±2dB。
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2.交叉极化度：由于暗室结构的不严格对称、暗室测试系统以及吸波材料对各种极化波吸收的不一致性等因素致使电波在暗室传播过程中产生极化不纯的现象。若待测试天线与发射天线的极化面正交和平行时，所测试场强之比小于-25dB，就认为交叉极化度满足要求。
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3.多路径损耗：路径损耗不均匀会使电磁波的极化面旋转，如果以来波方向旋转待测试天线，接收信号的起伏不超过±0.25dB，就可忽略多路径损耗。
天线测量的误差
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反射：直射波受到从周围物体反射的干涉，在测试区域形成场的变化，由于该波波程作为位置的函数而迅速变化，使起伏的长度属于波长的数量级
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有限测试距离所引起的误差：对于测量中等旁瓣电平的天线，距离2D2/λ通常已经足够，测出的增益约偏小0.06dB。测试距离缩短会使测量误差迅速增大，旁瓣会与主波束合并成肩台式，甚至合为一体。通常0.25dB的锥销使测出的增益降低约为0.1dB，并造成近旁瓣的些许误差。
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其他误差：导致天线测量产生误差的因素其他可能有：测量天线的对准误差；其他干扰信号；低频时与电抗近场的耦合可能比较显著；测试电缆所引起的误差等。
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