pn结是如何形成的

PN结是什么：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。

PN结的形成：在带电薄层中靠近P区一边有不能移动负电荷，在靠近N区一边有不能移动正电荷，正负电荷的存在在接触面处形成了一个电场，称为内建电场。其方向是从N区指向P区。电场两端存在着电位差，称为接触电位差。由于PN结对载流子的扩散具有阻止作用，所以有时也称PN结为“阻挡层”;内建电场所占据的区域中存在还能移动的正、负电荷，故电场区域又叫做“空间电荷区”。

PN结正向偏置：当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置

PN结反向偏置：与正向偏置相比，交换电源的正、负极位置，即P区接电源负极，N区接电源正极，就构成了PN结的反向偏置。