倒装结构的LED的制造过程

由于无须考虑欧姆接触层(电极)的透光性，其厚度可以增加到5Onm，从而可以改善注入电流扩散的问题，减少电流在它上面的压降。同时，由发光有效区发出的光被欧姆接触层反射回去.可以提高出光率。因此，这种倒装结构的LED的光效有明显的提高，而且其散热效果好，所以被普追应用在大功串白光LED中。它的制造过程如下：在外延片顶部的P型GaN: Mg上沉积厚度大于50nm的NiAu层，作为P型欧姆接触，因为它有足够的厚度，能将光反射回去，对提高出光率有利；采用掩膜有选择地刻蚀掉P型层和多量子阱有效发光层，露出N型区；经沉积刻蚀形成N型欧姆接触层；将有金属化凸点的AllnGaN芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(ESD)的硅级体(基体)上；将硅级体与管壳底盘进行电连接.然后封装在管充之中，管壳应有良好的光学特性，允许LED在大电流和高沮条件下工作。 大功串LED的封装结构剖面图如图所示，LED芯片是通过凸点倒装连接到硅基体或陶瓷基体上的.它们比蓝宝石有更好的散热性.通过它们再把热量传到起敬热作用的金属管座，能大大减少芯片与散热器之间的热阻，其热阻值仅为普通小功率LED的1/20--1/5，对提高LED的可靠性很有好处。