特点： ■ 内置单级有源功率因数校正，PF>0.9■ 原边反馈，无需光耦，TL431等器件■ 高性能的线电压调整率和负载调整率■ ±3%输出电流精度■ 内置650V功率MOSFET■ 启动电流(33uA)■ INV反馈电阻值高，功耗低■ 多重保护功能■ LED开路/短路保护■ 电流采样电阻开路保护■ 逐周期原边电流限流■ 芯片供电过压/欠压保护■ 自动重启功能■ 过热调节功能■ 采用SOP-8封装
管脚描述管脚名称 管脚号 管脚描述COMP 1 环路补偿点VDD 2 芯片供电INV 3 辅助绕组反馈信号采样端SEN 4 电流采样端，接采样电阻到地DRAIN 5,6 内部高压MOSFET的漏极GND 7,8 芯片信号和功率地
极限参数符号 名称 参数范围 单位VDS 内部高压MOSFET漏极到源极的峰值电压 -0.3~650 VVDD 电源电压 -0.3~25 VICC_MAX VDD引脚最大钳位电流 5 mACOMP 环路补偿点 -0.3~6 VINV 辅助绕组的反馈端 -0.3~6 VSEN 电流采样端 -0.3~6 VPDMAX 功耗(注2) 0.45 WθJAPN 结到环境的热阻 145 ℃/WTJ 工作结温范围 -40to150 ℃TSTG 储存温度范围 -55to150 ℃ ESD (注3) 2 KV
推荐工作范围符号 名 称 参数范围 单 位VDD 电源电压 8.5—18V VPout1 输出功率（输入电压230V±15%） <10 WPout2 输出功率（85V—265V） <7 W注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。注2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由TJMAX, θJA,和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PDMAX= (TJMAX-TA)/ θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。注3：人体模型，100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。
典型应用
应用：■ LED球泡灯、射灯■ LED PAR灯■ LED日光灯■ 其它END