MOSFET高边和低边开关的区别

低边开关，晶体管连接在负载和地之间。由于晶体管正在开关接地线路或位于负载的低电压端，因此称为低边开关。通常使用NPN型三极管或者N沟道场效应管。高边开关，晶体管连接在电源正极和负载高电压端之间。在Arduino或Raspberry Pi电路中使用这些晶体管可能会有些困难。通常使用PNP型三极管或者P沟道场效应管。对比Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。